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PMBFJ620,115

PMBFJ620,115

僅供參考

型號 PMBFJ620,115
PNEDA編號 PMBFJ620-115
描述 JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP
制造商 NXP
單價
1 ---------- $20.5804
100 ---------- $19.6156
250 ---------- $18.6509
500 ---------- $17.6862
750 ---------- $16.8823
1,000 ---------- $16.0784
庫存 12,304
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMBFJ620資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMBFJ620,115
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
PMBFJ620, PMBFJ620數據表 (總頁數: 14, 大小: 223.74 KB)
PDFPMBFJ620數據表 封面
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PMBFJ620規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)25V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)24mA @ 10V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID2V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5pF @ 10V
電阻-RDS(On)50 Ohms
功率-最大190mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝6-TSSOP

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.7V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

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系列

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

24mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2.5V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

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Through Hole

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

50V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

500µA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

300mW

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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