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PMCM6501VPEZ

PMCM6501VPEZ

僅供參考

型號 PMCM6501VPEZ
PNEDA編號 PMCM6501VPEZ
描述 MOSFET P-CH 12V 6WLCSP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 6,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMCM6501VPEZ資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMCM6501VPEZ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMCM6501VPEZ, PMCM6501VPEZ數據表 (總頁數: 15, 大小: 771.93 KB)
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PMCM6501VPEZ規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29.4nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1400pF @ 6V
FET功能-
功耗(最大值)556mW (Ta), 12.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-WLCSP (1.48x.98)
包裝/箱6-XFBGA, WLCSP

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

970pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4560pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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