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PMDPB70EN,115

PMDPB70EN,115

僅供參考

型號 PMDPB70EN,115
PNEDA編號 PMDPB70EN-115
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMDPB70EN資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMDPB70EN,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
PMDPB70EN, PMDPB70EN數據表 (總頁數: 16, 大小: 977.75 KB)
PDFPMDPB70EN數據表 封面
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PMDPB70EN規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs57mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds130pF @ 15V
功率-最大510mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-HUSON-EP (2x2)

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制造商

Nexperia USA Inc.

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.44nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13pF @ 10V

功率-最大

375mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

6-TSSOP

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制造商

ON Semiconductor

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2055pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

32pF @ 30V

功率-最大

320mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SOT-363

DMC3032LSD-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.1A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

404.5pF @ 15V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

制造商

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系列

eGaN®

FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

GaNFET (Gallium Nitride)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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