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PMDT670UPE,115

PMDT670UPE,115

僅供參考

型號 PMDT670UPE,115
PNEDA編號 PMDT670UPE-115
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 145,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMDT670UPE資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMDT670UPE,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
PMDT670UPE, PMDT670UPE數據表 (總頁數: 16, 大小: 909.51 KB)
PDFPMDT670UPE數據表 封面
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PMDT670UPE規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)550mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs850mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.14nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds87pF @ 10V
功率-最大330mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-666

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.4Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.43nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7.5pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

154A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1050pF @ 30V

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22W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tj)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 25A, 15V (Typ)

Vgs(th)(最大)@ ID

5.55V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1840pF @ 800V

功率-最大

20mW (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A, 1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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