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PMEG2010BEV,115

PMEG2010BEV,115

僅供參考

型號 PMEG2010BEV,115
PNEDA編號 PMEG2010BEV-115
描述 DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMEG2010BEV資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMEG2010BEV,115
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
PMEG2010BEV, PMEG2010BEV數據表 (總頁數: 12, 大小: 367.36 KB)
PDFPMEG3010BEAZ數據表 封面
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PMEG2010BEV規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)1A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果500mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 20V
電容@ Vr,F80pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-666
工作溫度-結點150°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 2.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 60V

電容@ Vr,F

540pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

50pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 100A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

17mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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