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PMEM4010PD,115

PMEM4010PD,115

僅供參考

型號 PMEM4010PD,115
PNEDA編號 PMEM4010PD-115
描述 TRANS PNP 40V 1A 6TSOP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 12 - 四月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMEM4010PD資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMEM4010PD,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
PMEM4010PD, PMEM4010PD數據表 (總頁數: 10, 大小: 161.28 KB)
PDFPMEM4010PD數據表 封面
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PMEM4010PD規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型PNP + Diode (Isolated)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic310mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 100mA, 5V
功率-最大600mW
頻率-過渡150MHz
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝6-TSOP

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 500mA, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 1V

功率-最大

420mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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包裝/箱

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