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PMF63UN,115

PMF63UN,115

僅供參考

型號 PMF63UN,115
PNEDA編號 PMF63UN-115
描述 MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,964
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMF63UN資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMF63UN,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMF63UN, PMF63UN數據表 (總頁數: 16, 大小: 1,002.8 KB)
PDFPMF63UN數據表 封面
PMF63UN數據表 頁面 2 PMF63UN數據表 頁面 3 PMF63UN數據表 頁面 4 PMF63UN數據表 頁面 5 PMF63UN數據表 頁面 6 PMF63UN數據表 頁面 7 PMF63UN數據表 頁面 8 PMF63UN數據表 頁面 9 PMF63UN數據表 頁面 10 PMF63UN數據表 頁面 11

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PMF63UN規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs74mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.3nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds185pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)275mW (Ta), 1.785W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-323-3
包裝/箱SC-70, SOT-323

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1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1040W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.8mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1770pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 77W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 20A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2900pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

±10V

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FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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