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PMN38EN,135

PMN38EN,135

僅供參考

型號 PMN38EN,135
PNEDA編號 PMN38EN-135
描述 MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMN38EN資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMN38EN,135
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMN38EN, PMN38EN數據表 (總頁數: 13, 大小: 293.09 KB)
PDFPMN38EN數據表 封面
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PMN38EN規格

制造商NXP USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs38mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.1nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds495pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.75W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-TSOP
包裝/箱SC-74, SOT-457

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1140pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

565pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

330mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 750µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1820pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

156W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

104mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±9V

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175pF @ 10V

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功耗(最大值)

800mW (Ta)

工作溫度

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