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PMPB100ENEAX

PMPB100ENEAX

僅供參考

型號 PMPB100ENEAX
PNEDA編號 PMPB100ENEAX
描述 PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMPB100ENEAX資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMPB100ENEAX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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PMPB100ENEAX規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DFN2020MD-6
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad

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制造商

Nexperia USA Inc.

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

872pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

77W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

103W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

84A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

340nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1135W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

漏極至源極電壓(Vdss)

1.2kV

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V, 18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

117mOhm @ 8.5A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.7V @ 3.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 18V

Vgs(最大)

+23V, -7V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

707pF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.69A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6Ohm @ 1.07A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

8.33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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