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PMPB85ENEAX

PMPB85ENEAX

僅供參考

型號 PMPB85ENEAX
PNEDA編號 PMPB85ENEAX
描述 MOSFET N-CH 60V 3A SOT1220
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 107,202
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMPB85ENEAX資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMPB85ENEAX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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PMPB85ENEAX規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs95mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.7V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.2nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds305pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DFN2020MD-6
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

118nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3240pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

277.8W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 22A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

748nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1250W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 273µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

206nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14400pF @ 37.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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