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PMV32UP/MIR

PMV32UP/MIR

僅供參考

型號 PMV32UP/MIR
PNEDA編號 PMV32UP-MIR
描述 SMALL SIGNAL MOSFET
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMV32UP/MIR資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMV32UP/MIR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMV32UP/MIR, PMV32UP/MIR數據表 (總頁數: 90, 大小: 47,925.74 KB)
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PMV32UP/MIR規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID950mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1890pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)510mW (Ta), 4.15W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-236AB
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.4nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23-3

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8400pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

306W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rohm Semiconductor

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FET類型

P-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

59nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7400pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

575pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

82W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

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功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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供應商設備包裝

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