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PMV65UN,215

PMV65UN,215

僅供參考

型號 PMV65UN,215
PNEDA編號 PMV65UN-215
描述 MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 8 - 十一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMV65UN資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMV65UN,215
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMV65UN, PMV65UN數據表 (總頁數: 15, 大小: 328.77 KB)
PDFPMV65UN數據表 封面
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PMV65UN規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs76mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.9nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds183pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)310mW (Ta), 2.17W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-236AB (SOT23)
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

372pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

27W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1430pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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SDMOS™

FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Ta), 54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2420pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

45W (Tc)

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