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PMV65XP/MIR

PMV65XP/MIR

僅供參考

型號 PMV65XP/MIR
PNEDA編號 PMV65XP-MIR
描述 MOSFET P-CH 20V SOT23
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMV65XP/MIR資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMV65XP/MIR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMV65XP/MIR, PMV65XP/MIR數據表 (總頁數: 14, 大小: 724.48 KB)
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PMV65XP/MIR規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.7nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds744pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)480mW (Ta), 4.17W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-236AB
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 70µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5203pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

440mOhm @ 750mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 760mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

22.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

277W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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