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PMV65XPEAR

PMV65XPEAR

僅供參考

型號 PMV65XPEAR
PNEDA編號 PMV65XPEAR
描述 MOSFET P-CH 20V SOT23
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 235,734
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMV65XPEAR資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMV65XPEAR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMV65XPEAR, PMV65XPEAR數據表 (總頁數: 16, 大小: 704.92 KB)
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PMV65XPEAR規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.25V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds618pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)480mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-236AB
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

175nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2730pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

900mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23

包裝/箱

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制造商

Torex Semiconductor Ltd

系列

-

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

370mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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