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PMV65XPER

PMV65XPER

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型號 PMV65XPER
PNEDA編號 PMV65XPER
描述 MOSFET P-CH 20V SOT23
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMV65XPER資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMV65XPER
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMV65XPER, PMV65XPER數據表 (總頁數: 15, 大小: 702.53 KB)
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PMV65XPER規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.25V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds618pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)480mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-236AB
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A (Ta), 12.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1240pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 90W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

57A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3130pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.1mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3639pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

810mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.592nC @ 4.5V

Vgs(最大)

40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

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功耗(最大值)

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