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PMWD16UN,518

PMWD16UN,518

僅供參考

型號 PMWD16UN,518
PNEDA編號 PMWD16UN-518
描述 MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 21 - 六月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMWD16UN資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMWD16UN,518
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
PMWD16UN, PMWD16UN數據表 (總頁數: 12, 大小: 94.27 KB)
PDFPMWD16UN數據表 封面
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PMWD16UN規格

制造商NXP USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs19mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1366pF @ 16V
功率-最大3.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A, 30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 12V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerTDFN

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

630mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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