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PN3643_D26Z

PN3643_D26Z

僅供參考

型號 PN3643_D26Z
PNEDA編號 PN3643_D26Z
描述 TRANS NPN 30V 0.5A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 10 - 二月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PN3643_D26Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PN3643_D26Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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PN3643_D26Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic220mV @ 15mA, 150mA
當前-集電極截止(最大值)50nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大625mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 150mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

25nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-VDFN Exposed Pad

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 10V

功率-最大

1W

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ON Semiconductor

制造商

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 500mA, 50A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 25A, 5V

功率-最大

300W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-204AE

供應商設備包裝

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AML2002

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 35mA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

2µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 10V

功率-最大

1W

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