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PN4391_D26Z

PN4391_D26Z

僅供參考

型號 PN4391_D26Z
PNEDA編號 PN4391_D26Z
描述 JFET N-CH 30V 625MW TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PN4391_D26Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PN4391_D26Z
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
PN4391_D26Z, PN4391_D26Z數據表 (總頁數: 7, 大小: 282.2 KB)
PDFPN4393_D75Z數據表 封面
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PN4391_D26Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)50mA @ 20V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID4V @ 1nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14pF @ 20V
電阻-RDS(On)30 Ohms
功率-最大625mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

15V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

7.3mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

SC-72

供應商設備包裝

3-SPA

PN4302

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

500µA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

80µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

供應商設備包裝

TO-206AF (TO-72)

KSK30RBU

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

50V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

300µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

400mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8.2pF @ 0V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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