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PR2001G-T

PR2001G-T

僅供參考

型號 PR2001G-T
PNEDA編號 PR2001G-T
描述 DIODE GEN PURP 50V 2A DO15
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PR2001G-T資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PR2001G-T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
PR2001G-T, PR2001G-T數據表 (總頁數: 3, 大小: 373.65 KB)
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PR2001G-T規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F35pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AC, DO-15, Axial
供應商設備包裝DO-15
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

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950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

22pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 60V

電容@ Vr,F

130pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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