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PRMD3Z

PRMD3Z

僅供參考

型號 PRMD3Z
PNEDA編號 PRMD3Z
描述 PRMD3/SOT1268/DFN1412-6
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 45,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 27 - 四月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PRMD3Z資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PRMD3Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PRMD3Z, PRMD3Z數據表 (總頁數: 14, 大小: 281.51 KB)
PDFPRMD3Z數據表 封面
PRMD3Z數據表 頁面 2 PRMD3Z數據表 頁面 3 PRMD3Z數據表 頁面 4 PRMD3Z數據表 頁面 5 PRMD3Z數據表 頁面 6 PRMD3Z數據表 頁面 7 PRMD3Z數據表 頁面 8 PRMD3Z數據表 頁面 9 PRMD3Z數據表 頁面 10 PRMD3Z數據表 頁面 11

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PRMD3Z規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡230MHz
功率-最大480mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-XFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝DFN1412-6

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms, 22kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms, 47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz, 80MHz

功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-665

供應商設備包裝

SSMini5-F2

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

220Ohms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

SOT-563

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

Automotive, AEC-Q101

晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

180MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms, 10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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