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PSMN016-100BS,118

PSMN016-100BS,118

僅供參考

型號 PSMN016-100BS,118
PNEDA編號 PSMN016-100BS-118
描述 MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 50,184
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN016-100BS資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN016-100BS,118
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PSMN016-100BS, PSMN016-100BS數據表 (總頁數: 14, 大小: 799.29 KB)
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PSMN016-100BS規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)57A (Tj)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs49nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2404pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)148W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

312nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7410pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

450W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

SOT-227

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

IRFR3412TRLPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

48A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3430pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF6795MTR1PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Ta), 160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4280pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 75W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8020pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

204W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vgs(th)(最大)@ ID

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