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PSMN1R1-25YLC,115

PSMN1R1-25YLC,115

僅供參考

型號 PSMN1R1-25YLC,115
PNEDA編號 PSMN1R1-25YLC-115
描述 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 100,182
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 22 - 十一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN1R1-25YLC資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN1R1-25YLC,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PSMN1R1-25YLC, PSMN1R1-25YLC數據表 (總頁數: 15, 大小: 968.19 KB)
PDFPSMN1R1-25YLC數據表 封面
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PSMN1R1-25YLC規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.15mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.95V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs83nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5287pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)215W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱SC-100, SOT-669

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

108nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5335pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

750W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 65A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3360pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 85µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

504nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7900pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

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