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PSMN1R1-30EL,127

PSMN1R1-30EL,127

僅供參考

型號 PSMN1R1-30EL,127
PNEDA編號 PSMN1R1-30EL-127
描述 MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 32,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN1R1-30EL資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN1R1-30EL,127
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PSMN1R1-30EL, PSMN1R1-30EL數據表 (總頁數: 13, 大小: 738.74 KB)
PDFPSMN1R1-30EL數據表 封面
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PSMN1R1-30EL規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs243nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14850pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)338W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAK
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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