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PSMN4R0-25YLC,115

PSMN4R0-25YLC,115

僅供參考

型號 PSMN4R0-25YLC,115
PNEDA編號 PSMN4R0-25YLC-115
描述 MOSFET N-CH 25V 84A LFPAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 5,688
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN4R0-25YLC資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN4R0-25YLC,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PSMN4R0-25YLC, PSMN4R0-25YLC數據表 (總頁數: 15, 大小: 1,002.42 KB)
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PSMN4R0-25YLC規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)84A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.95V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22.8nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1407pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)61W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱SC-100, SOT-669

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.5A (Ta), 36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 15V

FET功能

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 25A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7973pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

238W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

210nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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