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PSMN4R0-60YS,115

PSMN4R0-60YS,115

僅供參考

型號 PSMN4R0-60YS,115
PNEDA編號 PSMN4R0-60YS-115
描述 MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 27,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN4R0-60YS資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN4R0-60YS,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PSMN4R0-60YS, PSMN4R0-60YS數據表 (總頁數: 13, 大小: 747.76 KB)
PDFPSMN4R0-60YS數據表 封面
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PSMN4R0-60YS規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)74A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs56nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3501pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)130W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱SC-100, SOT-669

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1945pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

205W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.47W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.8A (Ta), 41A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1314pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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