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PUMD2/DG/B3,135

PUMD2/DG/B3,135

僅供參考

型號 PUMD2/DG/B3,135
PNEDA編號 PUMD2-DG-B3-135
描述 TRANS RET SC-88
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 19 - 六月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PUMD2/DG/B3資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PUMD2/DG/B3,135
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PUMD2/DG/B3, PUMD2/DG/B3數據表 (總頁數: 19, 大小: 1,124.59 KB)
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PUMD2/DG/B3規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22kOhms
電阻-發射極基(R2)22kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA
頻率-過渡230MHz, 180MHz
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

1kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

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Surface Mount

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100kOhms, 2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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制造商

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

230MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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電阻-基本(R1)

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