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PUMH1/DG/B3,115

PUMH1/DG/B3,115

僅供參考

型號 PUMH1/DG/B3,115
PNEDA編號 PUMH1-DG-B3-115
描述 TRANS RET SC-88
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 2,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 12 - 四月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PUMH1/DG/B3資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PUMH1/DG/B3,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PUMH1/DG/B3, PUMH1/DG/B3數據表 (總頁數: 15, 大小: 912.94 KB)
PDFPUMH1/DG/B3數據表 封面
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PUMH1/DG/B3規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22kOhms
電阻-發射極基(R2)22kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100mA
頻率-過渡230MHz
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-665

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74A, SOT-753

供應商設備包裝

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Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

供應商設備包裝

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PBLS4005D,115

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 40V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

600mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms, 47kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms, 47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

270mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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