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PVR100AD-B5V0,115

PVR100AD-B5V0,115

僅供參考

型號 PVR100AD-B5V0,115
PNEDA編號 PVR100AD-B5V0-115
描述 TRANS NPN 45V 0.1A 6TSOP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PVR100AD-B5V0資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PVR100AD-B5V0,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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PVR100AD-B5V0規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN + Zener
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 100mA, 1V
功率-最大300mW
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝6-TSOP

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 3A, 7A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 2A, 4V

功率-最大

40W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

30µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 5V

功率-最大

25W

頻率-過渡

8MHz

工作溫度

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Through Hole

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

180mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 500mA, 2V

功率-最大

460mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ON Semiconductor

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 1V

功率-最大

800mW

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 1.5A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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