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PZT751T1G

PZT751T1G

僅供參考

型號 PZT751T1G
PNEDA編號 PZT751T1G
描述 TRANS PNP 60V 2A SOT223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 120,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PZT751T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PZT751T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
PZT751T1G, PZT751T1G數據表 (總頁數: 4, 大小: 59.3 KB)
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PZT751T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce75 @ 1A, 2V
功率-最大800mW
頻率-過渡75MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 10A, 50A

當前-集電極截止(最大值)

5µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5A, 2V

功率-最大

300W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 5mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

400MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 3V

功率-最大

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