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QH8K22TCR

QH8K22TCR

僅供參考

型號 QH8K22TCR
PNEDA編號 QH8K22TCR
描述 QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,350
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 30 - 二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QH8K22TCR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QH8K22TCR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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QH8K22TCR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs46mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.6nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds195pF @ 20V
功率-最大1.1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝TSMT8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1081pF @ 25V

功率-最大

38W

工作溫度

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 15V

功率-最大

1.4W

工作溫度

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

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10.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 3A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.3nC @ 5V

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