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QH8KA2TCR

QH8KA2TCR

僅供參考

型號 QH8KA2TCR
PNEDA編號 QH8KA2TCR
描述 30V NCH+NCH POWER MOSFET
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,802
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QH8KA2TCR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QH8KA2TCR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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QH8KA2TCR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs73mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds125pf @ 15V
功率-最大2.4W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝TSMT8

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc), 13A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

646pF @ 15V, 1089pF @ 15V

功率-最大

6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Infineon Technologies

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A, 3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1869pF @ 15V

功率-最大

48W

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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