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QH8KA4TCR

QH8KA4TCR

僅供參考

型號 QH8KA4TCR
PNEDA編號 QH8KA4TCR
描述 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 48,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QH8KA4TCR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QH8KA4TCR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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QH8KA4TCR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1400pF @ 10V
功率-最大1.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝TSMT8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.6W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 6.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.4mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

605pF @ 15V

功率-最大

800mW, 810mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 1A, 12V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 10V

功率-最大

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 30V

功率-最大

900mW

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