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QH8M22TCR

QH8M22TCR

僅供參考

型號 QH8M22TCR
PNEDA編號 QH8M22TCR
描述 QH8M22 IS THE HIGH RELIABILITY T
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 27,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QH8M22TCR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QH8M22TCR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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QH8M22TCR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A (Ta), 2A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.6nC, 9.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds193pF, 450pF @ 20V
功率-最大1.1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝TSMT8

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

345pF @ 10V

功率-最大

1.2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 10V

功率-最大

1W

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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