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QJD1210SA1

QJD1210SA1

僅供參考

型號 QJD1210SA1
PNEDA編號 QJD1210SA1
描述 MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
制造商 Powerex Inc.
單價 請求報價
庫存 2,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QJD1210SA1資源

品牌 Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QJD1210SA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
QJD1210SA1, QJD1210SA1數據表 (總頁數: 6, 大小: 438.44 KB)
PDFQJD1210SA1數據表 封面
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QJD1210SA1規格

制造商Powerex Inc.
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th)(最大)@ ID1.6V @ 34mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs330nC @ 15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8200pF @ 10V
功率-最大520W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

121mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9Ohm @ 290mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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15.4A, 29.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1960pF @ 15V

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