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QS6J3TR

QS6J3TR

僅供參考

型號 QS6J3TR
PNEDA編號 QS6J3TR
描述 MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QS6J3TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QS6J3TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
QS6J3TR, QS6J3TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 63.16 KB)
PDFQS6J3TR數據表 封面
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QS6J3TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds270pF @ 10V
功率-最大1.25W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝TSMT6 (SC-95)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

630mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 20V

功率-最大

270mW

工作溫度

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.5W

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150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

78A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

744nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20700pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.2A (Ta), 8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

641pF @ 15V, 1241pF @ 15V

功率-最大

1.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

101mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 8V

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