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QS6J3TR

QS6J3TR

僅供參考

型號 QS6J3TR
PNEDA編號 QS6J3TR
描述 MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QS6J3TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QS6J3TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
QS6J3TR, QS6J3TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 63.16 KB)
PDFQS6J3TR數據表 封面
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QS6J3TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds270pF @ 10V
功率-最大1.25W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝TSMT6 (SC-95)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 16V

功率-最大

1.6W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.2A (Ta), 8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

641pF @ 15V, 1241pF @ 15V

功率-最大

1.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 14A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 12.5V

功率-最大

6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

78A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

744nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20700pF @ 25V

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