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QS6M3TR

QS6M3TR

僅供參考

型號 QS6M3TR
PNEDA編號 QS6M3TR
描述 MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 280,818
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QS6M3TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QS6M3TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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QS6M3TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V, 20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds80pF @ 10V
功率-最大1.25W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝TSMT6 (SC-95)

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Logic Level Gate

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10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

195mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 25V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

741pF @ 20V

功率-最大

4W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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