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QS8J2TR

QS8J2TR

僅供參考

型號 QS8J2TR
PNEDA編號 QS8J2TR
描述 MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QS8J2TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QS8J2TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
QS8J2TR, QS8J2TR數據表 (總頁數: 12, 大小: 2,505.58 KB)
PDFQS8J2TR數據表 封面
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QS8J2TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs36mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1940pF @ 6V
功率-最大550mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝TSMT8

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

55V, 30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

123nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6100pF @ 25V

功率-最大

69W, 96W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

123nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5600pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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54nC @ 10V

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