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QS8K11TCR

QS8K11TCR

僅供參考

型號 QS8K11TCR
PNEDA編號 QS8K11TCR
描述 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QS8K11TCR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QS8K11TCR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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QS8K11TCR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.3nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds180pF @ 10V
功率-最大1.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝TSMT8

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta), 3.7A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

574pF @ 20V, 587pF @ 20V

功率-最大

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

830mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.75Ohm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

245pF @ 10V, 218pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A, 22.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2127pF @ 25V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V, 20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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