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QS8M11TCR

QS8M11TCR

僅供參考

型號 QS8M11TCR
PNEDA編號 QS8M11TCR
描述 MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QS8M11TCR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QS8M11TCR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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QS8M11TCR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝TSMT8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 34mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

330nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8200pF @ 10V

功率-最大

520W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3241pF @ 15V

功率-最大

2.1W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

930pF @ 15V, 4600pF @ 15V

功率-最大

20W, 66W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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