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QS8M51TR

QS8M51TR

僅供參考

型號 QS8M51TR
PNEDA編號 QS8M51TR
描述 MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 26,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QS8M51TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QS8M51TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
QS8M51TR, QS8M51TR數據表 (總頁數: 20, 大小: 3,965.02 KB)
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QS8M51TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A, 1.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs325mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.7nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds290pF @ 25V
功率-最大1.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝TSMT8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 200mA, 2.7V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A, 3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

165pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

功率-最大

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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