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QST5TR

QST5TR

僅供參考

型號 QST5TR
PNEDA編號 QST5TR
描述 TRANS PNP 30V 2A TSMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QST5TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QST5TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
QST5TR, QST5TR數據表 (總頁數: 3, 大小: 54.95 KB)
PDFQST5TR數據表 封面
QST5TR數據表 頁面 2 QST5TR數據表 頁面 3

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QST5TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic370mV @ 75mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce270 @ 200mA, 2V
功率-最大1.25W
頻率-過渡280MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝TSMT6 (SC-95)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 50mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

110MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

16 @ 350mA, 5V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 3A, 5V

功率-最大

150W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

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安裝類型

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