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QST8TR

QST8TR

僅供參考

型號 QST8TR
PNEDA編號 QST8TR
描述 TRANS 2PNP 12V 1.5A 6TSMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 27,252
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QST8TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QST8TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
QST8TR, QST8TR數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,259.66 KB)
PDFQST8TR數據表 封面
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QST8TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 25mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce270 @ 200mA, 2V
功率-最大1.25W
頻率-過渡400MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝TSMT6 (SC-95)

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 1mA, 10V

功率-最大

400mW

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Surface Mount

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.4V @ 2mA, 1.25A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

1W

頻率-過渡

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安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

100MHz

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