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QSX8TR

QSX8TR

僅供參考

型號 QSX8TR
PNEDA編號 QSX8TR
描述 TRANS 2NPN 30V 1A 6TSMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,880
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QSX8TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QSX8TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
QSX8TR, QSX8TR數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,140.6 KB)
PDFQSX8TR數據表 封面
QSX8TR數據表 頁面 2 QSX8TR數據表 頁面 3 QSX8TR數據表 頁面 4 QSX8TR數據表 頁面 5 QSX8TR數據表 頁面 6 QSX8TR數據表 頁面 7 QSX8TR數據表 頁面 8 QSX8TR數據表 頁面 9

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QSX8TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic350mV @ 25mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce270 @ 100mA, 2V
功率-最大1.25W
頻率-過渡320MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝TSMT6 (SC-95)

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

200MHz

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