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R1LP0108ESN-7SR#S0

R1LP0108ESN-7SR#S0

僅供參考

型號 R1LP0108ESN-7SR#S0
PNEDA編號 R1LP0108ESN-7SR-S0
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 6,984
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1LP0108ESN-7SR#S0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1LP0108ESN-7SR#S0
類別半導體內存IC內存
數據表
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R1LP0108ESN-7SR#S0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
供應商設備包裝32-SOP

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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Alliance Memory, Inc.

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存格式

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技術

FLASH - NAND

內存大小

256Gb (32G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

83MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Maxim Integrated

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.8V ~ 6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23-3

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Alliance Memory, Inc.

制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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