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R1LV5256ESP-5SI#S0

R1LV5256ESP-5SI#S0

僅供參考

型號 R1LV5256ESP-5SI#S0
PNEDA編號 R1LV5256ESP-5SI-S0
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 5,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1LV5256ESP-5SI#S0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1LV5256ESP-5SI#S0
類別半導體內存IC內存
數據表
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R1LV5256ESP-5SI#S0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
供應商設備包裝28-SOP

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

45ns

電壓-供電

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工作溫度

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