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R1RP0416DSB-2LR#D1

R1RP0416DSB-2LR#D1

僅供參考

型號 R1RP0416DSB-2LR#D1
PNEDA編號 R1RP0416DSB-2LR-D1
描述 IC SRAM IBIS ASYNC
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1RP0416DSB-2LR#D1資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1RP0416DSB-2LR#D1
類別半導體內存IC內存

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R1RP0416DSB-2LR#D1規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

266MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

500ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-TFBGA

供應商設備包裝

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IDT71T75602S133PFI

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

30µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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