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R6507ENJTL

R6507ENJTL

僅供參考

型號 R6507ENJTL
PNEDA編號 R6507ENJTL
描述 NCH 650V 7A POWER MOSFET. R6507
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R6507ENJTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R6507ENJTL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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R6507ENJTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs665mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 200µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds390pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)78W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LPTS
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

P-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

430mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 430mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 370µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

262pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

1.2kV

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V, 18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 13A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.7V @ 5.6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 18V

Vgs(最大)

+23V, -7V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1.06nF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Ta), 9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1360pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1043pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.1mOhm @ 83A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 160µA

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55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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FET功能

-

功耗(最大值)

214W (Tc)

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