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R6507KNJTL

R6507KNJTL

僅供參考

型號 R6507KNJTL
PNEDA編號 R6507KNJTL
描述 NCH 650V 7A POWER MOSFET. R6507
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R6507KNJTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R6507KNJTL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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R6507KNJTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs665mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 200µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds470pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)78W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LPTS
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 72µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4900pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

114W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.35Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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