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R6520KNZ4C13

R6520KNZ4C13

僅供參考

型號 R6520KNZ4C13
PNEDA編號 R6520KNZ4C13
描述 NCH 650V 20A POWER MOSFET. R652
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R6520KNZ4C13資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R6520KNZ4C13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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R6520KNZ4C13規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs205mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 630µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1550pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)231W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 14.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.1V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6750pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 17.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1430pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

195A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

407nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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-

功耗(最大值)

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