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RB521S30T1G

RB521S30T1G

僅供參考

型號 RB521S30T1G
PNEDA編號 RB521S30T1G
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,928,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RB521S30T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RB521S30T1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RB521S30T1G, RB521S30T1G數據表 (總頁數: 4, 大小: 163.13 KB)
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RB521S30T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果500mV @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr30µA @ 10V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-79, SOD-523
供應商設備包裝SOD-523
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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400V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Powerex Inc.

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.15V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-200AA, A-PUK

供應商設備包裝

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Powerex Inc.

制造商

Powerex Inc.

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1500V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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